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硅偏压常规光电探测器

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1000

硅偏压常规光电探测器

OMTOOLS硅自由空间型带放大的光电探测器，由硅光电二极管+可调增益放大器集成封装而成。光灵敏范围从紫外到近红外，典型光谱范围覆盖190nm~1100nm。OMTOOLS带放大OMA系列光电探测器内置低噪声跨阻放大器或低噪声TIA后接电压放大器。

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产品编号

9103

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项目描述

技术规格

客户案例

项目描述

通用参数

工作温度

10~40℃

存储温度

-20~70℃

关键词:

硅偏压常规光电探测器

技术规格

OMDE10A2

波长范围 200~1100nm	光敏面尺寸 Φ1mm
上升时间（50Ω） 1ns	3dB带宽（50Ω） 350MHz
NEP 50fW/Hz^(1/2)	暗电流 0.3nA
结电容 6pF	偏置电压 10V
输出电流 0~10mA	供电电池 A23,12VDC,40mAh
光学接口 SM11,SM0.51	信号接口 BNC母座
支杆接口 M4*2	光敏面深度 2.2mm
工作温度 10~40℃	存储温度 -20~70℃
外观尺寸 70.949.822.5mm	探测器净重 0.10kg

OMDE36A2

波长范围 350~1100nm	光敏面尺寸 Φ3.6mm
上升时间（50Ω） 14ns	3dB带宽（50Ω） 25MHz
NEP 16fW/Hz^(1/2)	暗电流 0.35nA
结电容 40pF	偏置电压 10V
输出电流 0~10mA	供电电池 A23,12VDC,40mAh
光学接口 SM11,SM0.51	信号接口 BNC母座
支杆接口 M4*2	光敏面深度 2.2mm
工作温度 10~40℃	存储温度 -20~70℃
外观尺寸 70.949.822.5mm	探测器净重 0.10kg

OMDE100A2

波长范围 320~1100nm	光敏面尺寸 Φ10mm
上升时间（50Ω） 35ns	3dB带宽（50Ω） 10MHz
NEP 24fW/Hz^(1/2)	暗电流 0.9nA
结电容 150pF	偏置电压 10V
输出电流 0~10mA	供电电池 A23,12VDC,40mAh
光学接口 SM11,SM0.51	信号接口 BNC母座
支杆接口 M4*2	光敏面深度 3.3mm
工作温度 10~40℃	存储温度 -20~70℃
外观尺寸 70.949.822.5mm	探测器净重 0.10kg

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